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本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計(jì)，涉及一種用于sram存儲(chǔ)器的冗余列切換控制電路。、在sram存儲(chǔ)器生產(chǎn)和使用過(guò)程中，常出現(xiàn)由工藝缺陷和粒子輻射導(dǎo)致的存儲(chǔ)陣列局部永久性物理?yè)p傷問(wèn)題，影響存儲(chǔ)器整體性能。為了解決該類問(wèn)題，傳統(tǒng)方法常通過(guò)三模冗余或冗余替換等技術(shù)進(jìn)行存儲(chǔ)信息錯(cuò)誤修復(fù)。三模冗余修復(fù)技術(shù)付出...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及頭懸架組件(head?suspension?assembly)及具備該頭懸架組件的盤裝置。、作為盤裝置，例如，硬盤驅(qū)動(dòng)器(hdd)具備：多張磁盤，旋轉(zhuǎn)自如地配設(shè)在殼體內(nèi)；多個(gè)磁頭，針對(duì)磁盤進(jìn)行信息的讀、寫；以及頭致動(dòng)器，所述頭致動(dòng)器將磁頭支承為能夠相對(duì)于磁盤移動(dòng)。、頭致...

本發(fā)明涉及電壓校正，具體涉及一種內(nèi)存測(cè)試設(shè)備電壓校正方法及系統(tǒng)。、隨著ddr、lpddr等高速內(nèi)存技術(shù)的快速普及，內(nèi)存接口速度已從ddr時(shí)代的mt/s躍升至mt/s，數(shù)據(jù)傳輸速率的大幅提升對(duì)內(nèi)存測(cè)試設(shè)備的電壓精度提出了嚴(yán)苛要求。其中，vref?電壓精度要求從±%收緊至±.%，vddq?電壓...

本公開實(shí)施例涉及但不限于半導(dǎo)體存儲(chǔ)，具體是涉及一種新型存儲(chǔ)器及其控制方法和控制電路。、隨著人工智能和高性能計(jì)算的快速發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)器的性能提出了更高的要求，特別是在讀寫速度、可微縮性以及非易失性等方面。包括阻變存儲(chǔ)器（resistive?random-access?memory，reram/...

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)，特別涉及一種自動(dòng)檢測(cè)flash顆粒類型的方法、數(shù)據(jù)讀取裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。、flash(閃存)是存儲(chǔ)芯片的一種，具備電子可擦除可編程的性能，能夠快速讀取數(shù)據(jù)，能夠使數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失等優(yōu)勢(shì)?，F(xiàn)有的cpu固件啟動(dòng)讀取外部flash顆粒數(shù)據(jù)時(shí)，針對(duì)不同廠商生產(chǎn)的flas...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及但不限于存儲(chǔ)，尤其涉及一種存儲(chǔ)設(shè)備異常掉電重建數(shù)據(jù)的方法、設(shè)備及介質(zhì)。、emmc/ufs等存儲(chǔ)設(shè)備在使用過(guò)程中，若發(fā)生異常掉電(尤其是密集頻繁掉電)，易導(dǎo)致閃存編程不完整或失敗，產(chǎn)生大量不穩(wěn)定數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)設(shè)備重新啟動(dòng)時(shí)，需重建這些不穩(wěn)定數(shù)據(jù)的映射關(guān)系，而現(xiàn)有方案通常按頁(yè)號(hào)從前...

本發(fā)明涉及電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理，尤其涉及固態(tài)硬盤的優(yōu)化方法及電子設(shè)備。、相關(guān)技術(shù)中，在進(jìn)行固態(tài)硬盤性能優(yōu)化時(shí)，通常使用軟解碼注錯(cuò)的方式，其中，軟解碼注錯(cuò)方式為，從nand（host-aware?nand）中讀出原始數(shù)據(jù)，然后再進(jìn)行比特注錯(cuò)，再將注錯(cuò)后的原始數(shù)據(jù)通過(guò)軟解碼模塊進(jìn)行解碼糾錯(cuò)，進(jìn)而驗(yàn)證...

本公開一般涉及存內(nèi)計(jì)算，具體涉及一種用于存內(nèi)計(jì)算的專用執(zhí)行控制裝置及控制方法。、在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)量的激增導(dǎo)致數(shù)據(jù)在內(nèi)存與處理器之間的移動(dòng)成為性能與能耗的主要瓶頸。processing-in-memory（pim）技術(shù)通過(guò)將計(jì)算遷移至數(shù)據(jù)所在的內(nèi)存中，減少數(shù)據(jù)移動(dòng)開銷，成為解決該瓶頸...

本發(fā)明涉及固態(tài)存儲(chǔ)領(lǐng)域，具體是一種固態(tài)存儲(chǔ)器后端回環(huán)測(cè)試方法。、固態(tài)硬盤（ssd）等以nand?flash閃存顆粒為介質(zhì)的存儲(chǔ)器，其軟硬件模塊按照業(yè)務(wù)功能劃分通?？煞譃榍岸耍╢e）、算法（ftl）和后端（be）等組成部分。前端通過(guò)pcie等通信鏈路接收主機(jī)（host）下發(fā)的讀寫命令與數(shù)據(jù)并...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備存放，具體為一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的放置柜。、隨著數(shù)字化技術(shù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心及企業(yè)機(jī)房?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備數(shù)量持續(xù)增加，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備放置柜的容量、穩(wěn)定性及運(yùn)維便利性提出了更高要求，現(xiàn)有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備放置柜多采用分層隔板式結(jié)構(gòu)，通過(guò)固定在柜體內(nèi)腔的水平隔...

本發(fā)明涉及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（sram）電路設(shè)計(jì)，更具體的，涉及：、一種基于sram的低功耗感知讀寫電路；、一種基于sram的低功耗感知讀寫芯片。、隨著人工智能與邊緣計(jì)算的快速發(fā)展，其越來(lái)越多使用到基于sram的電路。由于加工制程等原因，sram的主要功耗來(lái)源是讀寫動(dòng)態(tài)功耗。傳統(tǒng)的sram...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)，具體涉及一種存儲(chǔ)器及操作方法。、存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其在不同的工作環(huán)境中具有對(duì)應(yīng)的工作溫度。、然而，隨著工作溫度的范圍增加時(shí)，對(duì)存儲(chǔ)器的工作可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)器及操作方法，以緩解工作溫度導(dǎo)致工作可靠性降低的技術(shù)問(wèn)題。、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)?..

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)，具體是一種基于物聯(lián)網(wǎng)的硬盤數(shù)據(jù)智能化分析系統(tǒng)及方法。、在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)，硬盤作為核心存儲(chǔ)設(shè)備，其運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)熱控制與性能保障的平衡始終是核心難題。隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)技術(shù)的發(fā)展，硬盤需處理的任務(wù)量激增，且面臨硬盤柜內(nèi)溫度波動(dòng)、周邊設(shè)備熱輻射等外部影響，傳統(tǒng)技術(shù)存在多...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器，特別涉及一種存儲(chǔ)塊的擦除方法及存儲(chǔ)器。、存儲(chǔ)器的擦除操作是基于電子的隧穿效應(yīng)進(jìn)行的操作，在擦除操作過(guò)程，一般是在數(shù)據(jù)字線上保持低電壓，同時(shí)在襯底上施加擦除電壓，此時(shí)數(shù)據(jù)字線上電子在電場(chǎng)的作用下通過(guò)隧穿效應(yīng)進(jìn)入襯底而使自身的閾值電壓降低，當(dāng)數(shù)據(jù)字線滿足擦除條件后，即說(shuō)明數(shù)據(jù)...

本申請(qǐng)涉及內(nèi)存測(cè)試，尤其涉及一種內(nèi)存測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。、在統(tǒng)一可擴(kuò)展固件接口（unified?extensible?firmware?interface，uefi）環(huán)境下進(jìn)行內(nèi)存測(cè)試時(shí)，通?？刹捎靡韵路N方式：.?利用服務(wù)器或主板uefi固件內(nèi)置的診斷工具進(jìn)行內(nèi)存...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種存儲(chǔ)器操作方法。、非易失性存儲(chǔ)器，特別是閃存(flash?memory)，是現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可或缺的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部件。為了提升存儲(chǔ)器的性能、密度和可靠性，業(yè)界持續(xù)開發(fā)新型的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，其中，分離柵(split-gate)浮柵器件是一種備受關(guān)注的結(jié)構(gòu)。、請(qǐng)參考圖...

、本公開通常涉及磁帶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及當(dāng)加載磁帶時(shí)高分辨率磁帶目錄（hrtd）無(wú)效時(shí)最小化hrtd恢復(fù)時(shí)間。、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)以處理和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。歷史上，數(shù)據(jù)已經(jīng)存儲(chǔ)在本地存儲(chǔ)設(shè)備上，例如硬盤驅(qū)動(dòng)器（hdd）、固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備和可移動(dòng)介質(zhì)，例如壓縮盤（cd）和數(shù)字多功能盤（...

本公開總體上涉及電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(reram)單元，更具體地涉及減少reram單元中時(shí)延介電擊穿的影響。、與時(shí)間相關(guān)的介電擊穿(tddb)，有時(shí)也稱為時(shí)延介電擊穿，是影響依賴介電材料的半導(dǎo)體器件的一個(gè)問(wèn)題。互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)集成電路(ic)可能會(huì)受到tddb的影響，因?yàn)閏...

本發(fā)明屬于閃存可靠性測(cè)試領(lǐng)域，更具體地，涉及一種面向溫度變化的閃存可靠性預(yù)測(cè)方法及裝置。、d?nand?flash在現(xiàn)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域占據(jù)著不可替代的關(guān)鍵地位。與傳統(tǒng)?nandflash不同，它通過(guò)創(chuàng)新性的三維堆疊技術(shù)，打破了二維平面的物理限制，極大地提升了存儲(chǔ)密度。這一技術(shù)突破不僅顯著降低...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，并且更具體地，涉及在單元陣列結(jié)構(gòu)中包括反熔絲單元陣列的存儲(chǔ)器裝置，以便減小具有外圍上單元(cop)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器裝置的芯片尺寸。、近來(lái)，隨著信息通信裝置的多功能化，已經(jīng)要求存儲(chǔ)器裝置的高容量和高集成度。隨著用于高集成度的存儲(chǔ)器單元尺寸的減小，包括在存儲(chǔ)器裝置中的用...