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本申請(qǐng)涉及量子器件，具體涉及一種具有防吸附結(jié)構(gòu)的薄膜機(jī)械振子及制備方法。、腔光力學(xué)的核心是研究通過(guò)輻射壓力介導(dǎo)的光場(chǎng)與物質(zhì)運(yùn)動(dòng)之間的相互作用。由于對(duì)微小作用力、位移、質(zhì)量和加速度進(jìn)行高靈敏度光學(xué)檢測(cè)的需求；以及，腔光力學(xué)有望使用光來(lái)操縱和檢測(cè)量子狀態(tài)下的機(jī)械運(yùn)動(dòng)，從而產(chǎn)生光和機(jī)械運(yùn)動(dòng)的非經(jīng)...

本發(fā)明涉及芯片封裝的，特別涉及一種mems傳感器芯片的封裝方法。、一些帶有空腔結(jié)構(gòu)且對(duì)空腔結(jié)構(gòu)具有真空度要求的mems傳感器芯片，如加速度計(jì)、陀螺儀、imu等mems傳感器芯片，在封裝時(shí)需要保證一定的真空度。、傳統(tǒng)的mems芯片封裝方案中，上下層晶圓之間形成空腔，mems的核心叉指結(jié)構(gòu)設(shè)置...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及一種濾波器dbr（distributed?braggreflector，分布布拉格反射）膜層刻蝕工藝方法。、在雙層濾波器的生產(chǎn)工藝中，dbr膜層的刻蝕必不可少，且需要有很高的選擇比以避免損傷襯底表面的二氧化硅膜層，但是dbr膜層主要是二氧化硅膜層和五氧化二...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)，特別涉及一種基于雙單向閥的開(kāi)放式結(jié)構(gòu)mems致動(dòng)冷卻芯片。、隨著半導(dǎo)體器件向“更小尺寸、更高集成度、更大功率密度”方向發(fā)展，熱管理已成為制約電子設(shè)備性能提升與可靠性的核心瓶頸。例如，高端智能手機(jī)的soc（system?onchip，系統(tǒng)級(jí)芯片）芯片功率密度已突破w/c...

本發(fā)明屬于微納制造與微機(jī)電系統(tǒng)(mems)，尤其涉及一種基于him預(yù)成孔與stem閉環(huán)控制的亞納米二維異質(zhì)結(jié)納米孔制備方法。、隨著分子識(shí)別與單分子測(cè)序技術(shù)的發(fā)展，納米孔器件在生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)、環(huán)境傳感和分子篩分領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。、現(xiàn)有固態(tài)納米孔主要基于氮化硅(sin)或氧化鋁(alo)膜材料...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝，特別涉及一種晶圓級(jí)真空封裝方法及結(jié)構(gòu)、紅外探測(cè)器、熱成像設(shè)備。、很多具有重要應(yīng)用的器件如mems（micro?electro-mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng)）器件需要進(jìn)行晶圓級(jí)真空封裝。目前晶圓級(jí)真空封裝中使用的焊料環(huán)主要通過(guò)蒸發(fā)、電鍍、植球和打印焊...

本發(fā)明涉及從晶圓中制造尤其是用于微機(jī)電裝置的芯片的領(lǐng)域，并且涉及一種用于處理晶圓的方法和一種用于放置芯片的絲網(wǎng)。、具有微機(jī)電系統(tǒng)（mems，microelectromechanical?system）的裝置、例如微鏡陣列或微鏡致動(dòng)器如今應(yīng)用在多種裝置中，例如在智能手機(jī)、投影機(jī)、抬頭顯示器、...

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本文描述的實(shí)施方式涉及施加在銅的玻璃通孔（tgv）與任何相關(guān)聯(lián)的金層之間的導(dǎo)電阻擋層，以減少或消除銅穿過(guò)金層的遷移，并因此減少或消除金層表面上污染物（例如，cuo）的形成。、在一個(gè)方面，本發(fā)明可以是一種防止與導(dǎo)電玻璃通孔（tgv）相關(guān)的腐蝕的方法。該方法可以包括在玻璃襯底中形...

本發(fā)明屬于微納結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，涉及一種納米針尖支撐的雙層金納米孔結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。、超表面（metasurface）是一類由亞波長(zhǎng)尺度人工結(jié)構(gòu)單元（通常稱為“元原子”）在二維平面上周期性或非周期性排列構(gòu)成的新型材料體系。通過(guò)精確調(diào)控元原子的幾何形狀、尺寸、排列方式及所用材料，超表面能夠在極...

本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)，具體涉及一種基于結(jié)構(gòu)超滑的無(wú)錨點(diǎn)翹動(dòng)式射頻微機(jī)電開(kāi)關(guān)、及其驅(qū)動(dòng)與制備方法、系統(tǒng)。、隨著g/g無(wú)線通信技術(shù)的快速發(fā)展，電子通信技術(shù)對(duì)射頻前端器件的性能要求日益提高，呈現(xiàn)出高頻、低損耗、低功耗、微型化及高可靠的顯著趨勢(shì)。射頻開(kāi)關(guān)是通信系統(tǒng)中射頻前端的核心器件，承擔(dān)著信號(hào)路...

本申請(qǐng)涉及mem芯片，更具體地，涉及一種mems芯片、壓力傳感器及電子設(shè)備。、現(xiàn)有技術(shù)中，外界環(huán)境中的溫度變化會(huì)引起mems（micro?electro?mechanicalsystem，微型機(jī)電系統(tǒng)）芯片的壓阻電阻發(fā)生變化，目前該壓阻電阻的變化可以通過(guò)ic（integrated?circ...

本發(fā)明涉及材料制備，尤其涉及一種金剛石微納結(jié)構(gòu)及其制備方法。、微納加工技術(shù)是微機(jī)電系統(tǒng)（mems）和芯片行業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)，其主要技術(shù)重點(diǎn)是在硅片等半導(dǎo)體基片表面制備特定尺寸和形狀的微納結(jié)構(gòu)。但是，受限于硅材料自身性質(zhì)，在某些嚴(yán)苛場(chǎng)景下的應(yīng)用受限，而金剛石因其良好的性質(zhì)，例如高熱導(dǎo)率、高耐磨...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法、電子裝置。、mems麥克風(fēng)主要包括電容式和壓電式兩種，其中，壓電式mems麥克風(fēng)因具備尺寸小、一致性好、低功耗、制造工藝相對(duì)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。、壓電式mems麥克風(fēng)通過(guò)壓電效應(yīng)來(lái)捕捉聲音信號(hào)，相關(guān)技術(shù)中的壓電式mems麥克風(fēng)...

本公開(kāi)涉及mems（micro?electro?mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng)），尤其涉及一種壓電式致動(dòng)器結(jié)構(gòu)、mems部件和液體噴出頭。、壓電式噴墨是一種廣泛應(yīng)用于工業(yè)打印與家庭打印市場(chǎng)之中的噴墨技術(shù)。相比于熱泡式噴墨技術(shù)，壓電式噴墨技術(shù)具有噴頭使用壽命長(zhǎng)、墨水類型廣泛...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件。、在傳統(tǒng)的芯片后端制程中，金屬導(dǎo)電層一般采用三明治結(jié)構(gòu)（包括由下至上依次層疊的tin/alcu/tin）。然而對(duì)于一些特殊的工藝芯片，其金屬導(dǎo)電層僅由tin/alcu組成，沒(méi)有頂層的tin。例如，在mems（micro?el...

本發(fā)明屬于材料制備，具體涉及一種以聚酯為基材的微坑制備方法及其應(yīng)用。、隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，目前多種敏感性高、特異性強(qiáng)、診斷快速的新型檢測(cè)技術(shù)正在蓬勃發(fā)展，并越來(lái)越多地被應(yīng)用于動(dòng)物疫病的檢測(cè)當(dāng)中。其中，單分子檢測(cè)技術(shù)能夠在單分子水平上研究生物分子的結(jié)構(gòu)和功能，可用于復(fù)雜樣品中低豐度生物標(biāo)...

本發(fā)明涉及mems芯片制備半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種基于壓電疊層結(jié)構(gòu)的mems芯片制備方法。、在半導(dǎo)體工藝，尤其是在微機(jī)電系統(tǒng)（mems）器件的制備中，采用玻璃作為基底是一種常見(jiàn)的選擇。這是因?yàn)椴ＡЩ拙哂休^高的平整度，這一特性非常有利于后續(xù)功能層（如壓電層）的沉積和生長(zhǎng)，能夠確保最...

本發(fā)明涉及mems芯片制備的半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種用于壓電疊層結(jié)構(gòu)的mems芯片制備方法。、在半導(dǎo)體工藝，特別是微機(jī)電系統(tǒng)器件的制造中，壓電疊層結(jié)構(gòu)因其優(yōu)異的機(jī)電轉(zhuǎn)換性能而被廣泛應(yīng)用于傳感器、執(zhí)行器、能量采集器等多種精密電子元件。這類結(jié)構(gòu)的核心通常包含基底、壓電功能層以及支撐襯底...

本發(fā)明涉及圖像防抖，特別是涉及一種mems平臺(tái)與圖像傳感器芯片集成結(jié)構(gòu)及方法。、在現(xiàn)有技術(shù)中，芯片通常安裝在一個(gè)pcb板上，并通過(guò)將帶有芯片的pcb板粘貼到mems懸空平臺(tái)上來(lái)完成集成。然而，pcb板上的電信號(hào)需要通過(guò)打線的方式引導(dǎo)到mems懸空平臺(tái)的基臺(tái)部分。具體而言，電信號(hào)需要通過(guò)打線...

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種檢測(cè)叉指間距的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。、微電子機(jī)械系統(tǒng)mems是一種集成傳感器、微執(zhí)行器和微電路的典型化系統(tǒng)，已廣泛應(yīng)用于汽車、航天航空、生物醫(yī)療、軍事等諸多領(lǐng)域。mems測(cè)試關(guān)鍵技術(shù)的目標(biāo)是建立一套完整的測(cè)試體系能夠全面評(píng)估m(xù)ems器件的性能指標(biāo)，確保其可靠性和一致性。...