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涉及用于低擺幅數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)電路。、存儲(chǔ)器裝置廣泛用于將信息存儲(chǔ)在例如計(jì)算機(jī)、用戶裝置、無線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器等各種電子裝置中。通過將存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)器單元編程為各種狀態(tài)來存儲(chǔ)信息。例如，二進(jìn)制存儲(chǔ)器單元可以被編程為兩個(gè)支持狀態(tài)中的一個(gè)，經(jīng)常由邏輯或邏輯表示。在一些實(shí)例中，單個(gè)存...

本申請涉及存儲(chǔ)設(shè)備測試領(lǐng)域，尤其是涉及一種lpddr芯片測試方法及測試系統(tǒng)。、lpddr（low?power?double?data?rate?sdram，低功耗內(nèi)存）芯片本質(zhì)上屬于一種隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器件，可以通過行列地址自由訪問每一個(gè)基本存儲(chǔ)單元。具體場景中，通過soc（system?on...

本申請涉及閃存控制，尤其是一種閃存電源控制電路及其控制方法、閃存控制器和電子設(shè)備。、在現(xiàn)有的emmc和ufs閃存模組中，vcc_nand作為nand?flash核心電路的供電電壓，其電平直接影響存儲(chǔ)陣列中電荷的穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)的正確性。隨著制程技術(shù)演進(jìn)及對低功耗需求的提升，vcc_nand電壓...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體儲(chǔ)存裝置，尤其涉及一種nand型快閃存儲(chǔ)器的編程動(dòng)作。、通常，nand型快閃存儲(chǔ)器是于封裝體（package）內(nèi)包含存儲(chǔ)器芯片與用于控制該存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器控制器來構(gòu)成。使存儲(chǔ)器控制器負(fù)擔(dān)存儲(chǔ)器芯片的錯(cuò)誤（error）修正或壞塊（bad?block）的管理等固定的負(fù)荷，...

說明書公開一種解碼糾錯(cuò)的方法，特別是指運(yùn)用存儲(chǔ)器空間存儲(chǔ)額外信息以提升糾錯(cuò)能力的一種運(yùn)用額外信息執(zhí)行解碼糾錯(cuò)的方法與數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)。、在計(jì)算器，電信，信息論和編碼理論中，錯(cuò)誤更正碼（ecc，error?correction/correcting?code）是信息傳輸中錯(cuò)誤檢測與糾正的工具。其...

本發(fā)明涉及一種譯碼器電路，且尤其涉及一種行譯碼器電路。、隨著存儲(chǔ)器制程技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)器密度(memory?density)增加，晶粒(die)面積增加，每個(gè)晶粒的損壞率也隨之增加。存儲(chǔ)器產(chǎn)品內(nèi)部的所有存儲(chǔ)單元(memory?cell)或存儲(chǔ)器區(qū)塊(memory?block)都百分之百無損...

本申請涉及芯片燒錄，尤其涉及一種電子保險(xiǎn)絲燒錄方法、裝置、芯片、系統(tǒng)和存儲(chǔ)介質(zhì)。、電子保險(xiǎn)絲（electric-fuse，efuse）是一種通過熔化金屬熔絲實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的一次性可編程存儲(chǔ)器，其作為芯片數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的一種介質(zhì)，扮演著重要的角色。例如，芯片應(yīng)用程序的加密密鑰往往都是燒錄在芯片的ef...

本發(fā)明涉及芯片測試，具體涉及一種用于多芯片閃存測試的動(dòng)態(tài)狀態(tài)機(jī)控制方法及系統(tǒng)。、在現(xiàn)代半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)中，多芯片閃存（如d?nand?flash或多芯片封裝）的測試是一個(gè)復(fù)雜且耗時(shí)的過程。傳統(tǒng)的測試方法通常需要逐個(gè)芯片進(jìn)行測試，導(dǎo)致測試效率低下。為了提高測試效率，多同測技術(shù)被廣泛采用，即同時(shí)...

本申請涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，尤其涉及一種大容量nor?flash分區(qū)數(shù)據(jù)恢復(fù)方法及裝置。、nor?flash作為一種浮柵型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件，因其斷電不丟失數(shù)據(jù)的特性廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)和固件存儲(chǔ)中。其基本操作包括讀取、編程和擦除，且根據(jù)接口協(xié)議可細(xì)分為單線或四線讀取、單線或四線編程及塊擦或全片...

本申請涉及半導(dǎo)體，更具體地，涉及一種存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)系統(tǒng)以及存儲(chǔ)裝置的操作方法。、存儲(chǔ)裝置(例如，nand存儲(chǔ)裝置)能夠在斷電后仍保留存儲(chǔ)于其中的數(shù)據(jù)，并且廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、蜂窩電話、智能手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理及其他電子設(shè)備系統(tǒng)。通過優(yōu)化存儲(chǔ)裝置的電路配置以及操作方法能夠改善存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。技...

本申請涉及存儲(chǔ)裝置，尤其涉及一種相變盒。、相變盒是硬盤存儲(chǔ)設(shè)備中的重要部件，可以為放置于其內(nèi)的存儲(chǔ)電路板提供防水、耐高溫、防摔抗震等防護(hù)，防止存儲(chǔ)電路板的數(shù)據(jù)發(fā)生丟失，以便于后續(xù)獲取存儲(chǔ)電路板內(nèi)的數(shù)據(jù)。、目前市面上相變盒內(nèi)均填充有相變材料，通過相變材料保持存儲(chǔ)電路板的工作穩(wěn)定。在使用中，相...

本技術(shù)涉及硬盤盒，具體來說，涉及一種內(nèi)藏線方便更換的硬盤盒。、硬盤盒作為硬盤的存儲(chǔ)裝置，能夠?qū)⒂脖P收容于硬盤盒內(nèi)部進(jìn)行存儲(chǔ)，硬盤盒包括內(nèi)置硬盤盒和外置硬盤盒兩種類型，其中，硬盤可以通過內(nèi)置硬盤盒連軸至設(shè)備機(jī)箱中，或可以與外置硬盤盒組合形成移動(dòng)硬盤。相關(guān)技術(shù)中，外置硬盤盒上通常設(shè)置有母座接口...

本申請屬于現(xiàn)場可編程門陣列控制，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的操作方法以及存儲(chǔ)器的操作裝置。、ddr（double?data?rate，雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存是一種常見的存儲(chǔ)解決方案，其廣泛應(yīng)用于各種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和嵌入式設(shè)備中。為有效利用ddr內(nèi)存的高速讀寫特性，通常需要通過fpga（field?prog...

本發(fā)明涉及電路架構(gòu)，尤其涉及磁芯隨機(jī)存儲(chǔ)器讀參考電路架構(gòu)設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)。、磁芯隨機(jī)存儲(chǔ)器（mram）是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它通過磁性隧道結(jié)（mtj）存儲(chǔ)信息，具有高速、低功耗、高耐久性和非易失等優(yōu)點(diǎn)。在mram系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)通過檢測磁性隧道結(jié)的電阻狀態(tài)來讀取，磁性隧道結(jié)可以處于高阻態(tài)或低...

本技術(shù)涉及電子存儲(chǔ)盤，具體是一種用于電子存儲(chǔ)盤的供電電路檢測裝置。、電子存儲(chǔ)盤?是一種使用電子技術(shù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備，通常采用閃存技術(shù)。它具有工作速度快、穩(wěn)定度高、保密性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，并且可以頻繁開關(guān)機(jī)而不損壞?，但是在電子存儲(chǔ)盤的供電電源出現(xiàn)波動(dòng)時(shí)，容易導(dǎo)致電子存儲(chǔ)盤工作異常，為時(shí)刻監(jiān)測電子存儲(chǔ)...

本技術(shù)涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，具體為一種便捷的生物數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。、生物數(shù)據(jù)是指有關(guān)生物體的數(shù)字信息，這些數(shù)據(jù)包括生物體的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、功能、進(jìn)化、生態(tài)等方面的內(nèi)容，在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中，科學(xué)家通過各種實(shí)驗(yàn)手段獲取生物體的相關(guān)數(shù)據(jù)，如基因測序、蛋白質(zhì)分析、細(xì)胞培養(yǎng)等，檢測好的生物物質(zhì)（如核酸、蛋白質(zhì)等）需...

本發(fā)明屬于模擬集成電路以及儲(chǔ)存器，涉及一種具備即寫即讀功能的多值rram讀寫電路及方法。、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（resistive?random?access?memory，rram）是一種新興的存儲(chǔ)器，其中信息保存在存儲(chǔ)單元的電阻中。這些單元通常由納米級上非常薄的介電層組成，該材料通常是...

本申請涉及儲(chǔ)能設(shè)備，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置和儲(chǔ)能設(shè)備。、儲(chǔ)能設(shè)備在一些情況下可能會(huì)發(fā)生熱失控現(xiàn)象，導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)起火爆燃。設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片可能在火燒和消防滅火液體的雙重影響下而失效，導(dǎo)致后期無法還原熱失控前的設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)，不利于事后復(fù)盤事故原因。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N數(shù)據(jù)...

本發(fā)明涉及硬盤測試，具體是涉及一種計(jì)算機(jī)硬盤生產(chǎn)測試裝置。、在計(jì)算機(jī)硬盤的生產(chǎn)制造流程中，硬盤的性能測試是保障產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，需要通過專用的測試裝置對硬盤的讀寫速度、穩(wěn)定性、兼容性等核心指標(biāo)進(jìn)行檢測。、然而，當(dāng)前市面上的硬盤生產(chǎn)測試裝置在實(shí)際應(yīng)用過程中，普遍存在以下技術(shù)痛點(diǎn)：一、傳統(tǒng)測...

本發(fā)明屬于模擬集成電路領(lǐng)域，涉及一種具備保存和加載功能的d觸發(fā)器電路。、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（resistive?random?access?memory，rram）是一種新興的存儲(chǔ)器技術(shù)，其中信息保存在存儲(chǔ)單元的電阻中。這些單元通常由納米級上非常薄的介電層組成，該材料通常是絕緣體。通過強(qiáng)...